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HiPerFET TM
Power MOSFETs
Single Die MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
Preliminary Data Sheet
IXFE 180N20
G
S
D
S
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
= 200 V
= 158 A
= 12 m ?
< 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 227 TM (IXFE)
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
Transient
200
200
± 20
± 30
V
V
V
V
G
S
I D25
I L(RMS)
T C = 25 ° C, Chip capability
Terminal current limit
158
100
A
A
D
S
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
720
100
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
64
4
5
500
mJ
J
V/ns
W
Either Source terminal at miniBLOC can be used
as Main or Kelvin Source
Features
? Conforms to SOT-227B outline
T J
T JM
T stg
V ISOL
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
2500
3000
° C
° C
° C
V~
V~
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Low package inductance
? Fast intrinsic Rectifier
M d
Weight
Mounting torque
Terminal connection torque
1.5/13 Nm/lb.in.
1.5/13 Nm/lb.in.
19
g
? Encapsulating epoxy meets
UL 94 V-0, flammability classification
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? DC-DC converters
? Battery chargers
? Switched-mode and resonant-mode
V DSS
V GH(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
2
4
± 200
100
2
V
V
nA
μ A
mA
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
Advantages
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 ? I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s,
duty cycle d ≤ 2 %
12 m ?
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99040(04/03)
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